同步辐射背反射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的小角晶界和微管

作者：姜守振; 黄先荣; 胡小波; 李娟; 陈秀芳; 王英民; 宁丽娜; 徐现刚; 蒋民华

来源：功能材料, 2006, (12): 1985-1987+1990.

• 同步辐射背反射白光形貌术
• 小角度晶界
• 微管
• SiC
• 升华法 synchrotron radiation back reflection white-beam topography
• low angle grain boundaries
• micropipes
• sublimation method

利用同步辐射X射线形貌术对升华法生长的6H-SiC(0001)晶片中的小角晶界与微管缺陷进行了研究。小角晶界在同步辐射中的形貌成直线沿〈11-00〉方向分布。根据螺位错附近的应变场和衍射几何,模拟了基本Burgers矢量大小的螺位错在同步辐射形貌像中的衍衬像,模拟结果与实验结果符合较好。据此指认了基本螺位错,并确定了微管Burgers矢量的大小。

• 单位
  纽约州立大学石溪分校; 晶体材料国家重点实验室; 山东大学