MgZnO半导体材料光致发光以及共振拉曼光谱研究

作者：王玉超; 吴天准; 张权林; 陈明明; 苏龙兴; 汤子康

来源：发光学报, 2013, (09): 1149-1154.

• MgxZn1-xO
• 分子束外延
• X射线衍射
• 光致发光
• 共振拉曼光谱 MgxZn1-xO
• P-MBE
• X-ray diffraction
• photoluminescence
• resonance Raman spectroscopy

用分子束外延设备在c面蓝宝石衬底上生长得到高质量Mg x Zn1-x O薄膜。X射线衍射显示,当Mg摩尔分数在0~32.7%范围内时,薄膜保持六方结构,(002)衍射峰半高宽为0.08°~0.12°,薄膜结晶质量与现有报道的最高水平相当。随着薄膜中Mg含量的增加,紫外发光峰由378 nm蓝移至303 nm。对Mg0.108Zn0.892O薄膜变温光致发光光谱的研究发现,束缚激子发光随温度变化存在两个不同的猝灭过程。对不同Mg含量薄膜共振拉曼光谱的研究发现,A1(LO)声子模频移与Mg含量在一定范围内呈线性关系,这为确定Mg x Zn1-x O薄膜中的Mg含量提供了一种简单高效的方法。通过拉曼光...

• 单位
  中山大学; 香港科技大学