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摘要
采用激光熔覆工艺在TC4基体表面制备了TiAl涂层，分别对TC4基体与TiAl涂层在600、800、900和1000℃下开展了循环氧化50 h实验，分析TC4基体与TiAl涂层在不同温度下的氧化动力学行为、氧化膜的物相、表面形貌及元素分布，并对其高温氧化机理进行了阐述。结果表明：涂层氧化动力学曲线近似符合抛物线规律，且单位氧化质量增加和氧化速率均比TC4基体小。TiAl涂层在600、800、900和1000℃下的氧化质量增加分别为TC4基体的12.5%、20%、55.6%和35.7%。TiAl涂层的氧化产物主要为Al2O3和TiO2，在600～900℃之间氧化物均匀致密无破损，在1000℃下出现氧化膜的破损、剥落。TiAl涂层的氧化极限较TC4基体至少提高300℃，表现出优异的高温抗氧化性能。
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