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摘要
SiC/ZL109复合材料中增强体SiC分别在不同的氧化温度(800、900、1 000、1 100℃)下高温氧化5 h,并通过搅拌铸造法制备复合材料。结果表明,SiC氧化温度在800℃时,SiC颗粒氧化层基本形成;在800℃以上,SiC颗粒被氧化层全部覆盖。在8001 100℃,Si O2层厚度的变化范围在0.0960.542 5μm,其中在1 000℃时,SiC增厚0.383μm。在1 000℃氧化5 h条件下,SiC/ZL109复合材料的界面存在MgAl2O4相,但无脆性相Al4C3存在,这有利于界面结合,且此条件下材料的密度最大,孔隙率和磨损率最小。
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单位贵阳职业技术学院; 上海大学
