一种具有低寿命区的阳极短路4H-SiC IGBT仿真研究

作者：毛鸿凯; 苏芳文; 林茂; 张飞; 隋金池

来源：电子科技, 2021, 34(01): 60-64.

DOI：10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2021.01.011

• 击穿电压
• 关断损耗
• 4H-SiC
• IGBT
• 通态压降
• Silvaco Atlas

传统沟槽型4H-SiC IGBT中关断损耗较大,导通压降和关断损耗难以折中。针对此问题,文中提出了发射极区域含有低寿命区,同时集电区引入阶梯型集电极的LS-IGBT结构来降低器件的关断损耗。通过同时控制集电区注入的空穴载流子数量和P基区载流子的寿命,在基本维持器件击穿电压的前提下降低器件的关断损耗。使用Silvaco Atlas器件仿真工具对改进结构进行特性仿真分析,并与传统结构进行对比。仿真结果显示,在击穿电压一致的前提下,新结构的关断损耗提升了84.5%,同时器件的导通压降降低了8.3%,证明了设计思想的正确性。

• 单位
  杭州电子科技大学