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摘要
本发明涉及一种SnS-2/C/Si三元纳米阵列光电催化剂,由SnS-2纳米颗粒、碳膜和硅纳米线阵列组成,其制备方法为采用金属辅助化学刻蚀的方法制得硅纳米线阵列,经过旋涂、煅烧在硅纳米线阵列表面形成碳膜,随后通过水热法在其表面生长SnS-2纳米颗粒催化剂。本发明中的硅纳米线阵列结构增强了入射光的散射几率,能够提高光吸收效率；通过旋涂后进行煅烧方式得到的纳米碳膜能在硅纳米线阵列表面形成一层致密的保护层,保护硅在光电催化过程中不会腐蚀,提高其稳定性；通过水热法生长的SnS-2纳米颗粒附着在纳米阵列的表面,起到助催化剂作用,提供大量析氢活性位点,显著降低催化剂析氢过电位,从而能够大大提高光电催化制氢效率。
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