沉积温度对高Al含量的Al_xGa_(1-x)N薄膜的影响

作者：季振国; 娄垚; 毛启楠

来源：无机材料学报, 2010, (04): 386-390.

• AlGaN
• 高铝含量
• MOCVD
• 外延
• 沉积温度 AlGaN
• high Al content
• epitaxy
• deposition temperature

沉积参数对MOCVD法生长的AlxGa1-xN薄膜性能有很大的影响.利用高分辨XRD,紫外-可见透射光谱,原子力显微镜,扫描电子显微镜和荧光光谱研究了沉积温度对低压MOCVD沉积的高Al含量的AlxGa1-xN外延膜缺陷密度以及发光性能的影响.结果发现,随着沉积温度的升高,AlxGa1-xN薄膜中的螺型位错密度减少,但是刃型位错密度增加,因此简单地改变沉积温度并不能降低总的位错密度以及提高薄膜的发光性能.进一步地分析测试结果表明,随着沉积温度的升高,AlxGa1-xN薄膜内的Al含量增加,导致禁带宽度增大和发光波长的蓝移,因此适当提高沉积温度(1000~1050℃)是获得高Al含量AlxGa1...

• 单位
  硅材料国家重点实验室; 杭州电子科技大学; 浙江大学