某型IGBT过流失效分析

作者:赵骏; 苗峰*; 杨也
来源:电子工艺技术, 2023, 44(06): 4-20.
DOI:10.14176/j.issn.1001-3474.2023.06.002

摘要

某型逆变器驱动电路中的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块使用中频繁出现短路失效现象,为了分析失效原因,对现场取回的典型IGBT失效件进行电学性能、X-ray测试、显微镜测试,扫描电子显微镜及能谱测试分析。根据故障树及失效模式理论确定该IGBT失效件的一级失效模式是过流失效,二级失效模式是电路中出现的过载脉冲电流引起的过流失效,三级失效模式是设备使用过程中,超负荷运转导致的逆频器过载。

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