ZnTe宽带隙半导体由于具有高的光学透明度、低电子亲和力和易于掺杂，目前在光电设备和光催化领域应用具有广泛的应用。大量研究表明，材料纳米化可以突破体相材料的应用限制，开发出更多优越的物理化学性能。然而，简单且可控的制备出结构稳定、尺寸均一的ZnTe纳米材料是这一材料进一步应用的技术前提。介绍了通过热蒸发、分子束外延、磁控溅射、水热/溶剂热、密闭空间升华和化学气相沉积等合成ZnTe纳米材料的方法，讨论了不同形貌的ZnTe纳米材料在各种领域的应用。
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