HgI_2多晶薄膜的气相同质外延生长

作者：许岗; 谷智; 魏淑敏

来源：半导体光电, 2013, (02): 247-250+254.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2013.02.019

• 碘化汞
• 多晶薄膜
• 同质外延
• 定向生长 mercuric iodide
• polycrystalline films
• iso-epitaxy
• orientated growth

为提高HgI2多晶薄膜的气相定向生长效果,在ITO导电玻璃上从不同浓度的C3H6O-HgI2-H2O溶液中过饱和析出HgI2衬底层。通过XRD对比衬底层的定向效果,选择最佳的衬底并气相外延沉积HgI2多晶薄膜。利用SEM、XRD分析了薄膜的定向生长特性;以137 Cs为放射源,在室温下测试了探测器的探测效率。

• 单位
  西安工业大学; 西北工业大学; 材料与化工学院; 凝固技术国家重点实验室