特高压晶闸管p^-层穿通和p⁺层发射极结构设计

作者：高山城; 罗艳红; 张婷婷; 赵卫; 高飞; 李翀

来源：半导体技术, 2014, 39(10): 752-757.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.10.007

• 阻断电压
• 通流能力
• 通态压降
• 反向恢复电荷
• 关断时间

基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶闸管的通流能力由4 000 A提高到4 500 A。对特高压晶闸管采用低浓度p-层穿透、高浓度p+层发射极结构设计进行了理论分析并进行了工艺实验,测试结果表明,特高压晶闸管在不损失阻断电压(≥8 500 V)前提下,芯片厚度减薄0.05 mm、通态压降下降0.11 V,反向恢复电荷、dV/dt耐量、di/dt耐量、关断时间等得到优化,研制了6英寸(1英寸=2.54 cm)4 500 A/8 500 V特高压晶闸管,并成功应用于±800 kV/7 200 MW特高压直流输电工程中。

• 单位
  西安电力电子技术研究所