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摘要
为研究搅拌对膏体流变性能的影响，通过控制搅拌速度制备膏体样品，并测试其细观结构、流变、电位及离子浓度等参数，从物理化学角度分析速度对膏体流变的影响。结果表明：膏体搅拌存在速度阈值(本研究中该值为1000～1500 r/min)，当搅拌速度小于阈值时，由于膏体中各类膜包裹的颗粒被搅拌分散，细观结构尺寸随搅拌速度增加而变小，膏体流变参数随搅拌速率增加而降低，其流变曲线符合Bingham模型；而当搅拌速度超过阈值时，强搅拌剪切促进了早期水化物及无机盐离子溶解到溶液中，其离子浓度升高，颗粒表面电势由-0.7655 mV变为-0.4760 mV，测得细观结构及流变参数均随搅拌速度增加而变大，且流变曲线更符合H-B模型(n<1)。结合Hattori-lzumi理论和Debye-Hückel理论，通过引入剪切速率因子，建立颗粒表面电化学与吸附力、流变与颗粒聚集状态关系方程，分析了搅拌剪切对膏体流变特征的影响机制，为膏体搅拌技术发展提供理论支撑。
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