纳米碳化硅、氮化硅和掺杂氮碳化硅粉体的制备及其微波介电特性

作者：赵东林; 罗发; 周万城

来源：硅酸盐学报, 2008, (06): 783-787.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2008.06.015

• 纳米碳化硅和氮化硅
• 纳米掺杂氮碳化硅
• 激光诱导气相反应
• 微波介电特性 nano silicon carbide and silicon nitride
• nano nitrogen doped silicon carbide
• laser-induced gas-phase reaction
• micro-wave permittivity

为了制备耐高温吸波材料,用激光诱导气相反应法,以六甲基二硅胺烷[(Me3Si)2NH](Me:CH3)、乙炔、硅烷和氨气为原料,用双反应室激光气相合成纳米粉体装置分别制备了纳米SiC,Si3N4和SiC(N)粉体,纳米粉体的粒径为20～30nm。研究了纳米SiC,Si3N4和SiC(N)粉体在8.2～12.4GHz的微波介电特性,纳米SiC(N)粉体介电常数的实部(ε′)和虚部(ε″)在8.2～12.4GHz随频率增大而减小,介电损耗(tgδ=ε″/ε′)较高,是较为理想的微波吸收材料,而纳米SiC和Si3N4粉体的tgδ基本为0。纳米SiC(N)粉体中S,C,N原子周围的化学环境比纯SiC和...

• 单位
  凝固技术国家重点实验室; 化工资源有效利用国家重点实验室; 西北工业大学; 北京化工大学