掺杂氧化锌半导体材料及其制备方法与应用

作者：兰林锋; 彭俊彪; 王磊; 许伟; 曹镛; 徐苗

来源：2011-08-30, 中国, ZL201110252193.6.

本发明公开了掺杂氧化锌半导体材料及其制备方法与应用。掺杂氧化锌半导体材料是在ZnO材料中同时掺入In、Sn以及Ni；其成份为NiaSnbIncZndO,其中,0.01≤a≤0.09、0.01≤b≤0.09、c＝0.3、d＝0.6且a+b+c+d＝1。应用掺杂氧化锌半导体材料制备的薄膜晶体管包括玻璃基板、栅极、绝缘层、沟道层、源极和漏极；栅极位于玻璃基板中心上部,绝缘层覆盖在栅极上端,沟道层设置在绝缘层中部上端,位于栅极正上方,沟道层左右两端伸出栅极；源极和漏极分别覆盖在沟道层的两端并且相互间隔；沟道层材料为掺杂氧化锌半导体材料。该薄膜晶体管具有载流子迁移率高、稳定性好以及开关比高等优点。

• 单位
  广州新视界光电科技有限公司; 华南理工大学