寄生电感对SiC MOSFET开关振荡的影响及其抑制

作者：伍理勋; 韩洋; 陆海峰; 陈磊

来源：汽车电器, 2018, (07): 7-9.

DOI：10.13273/j.cnki.qcdq.2018.07.005

• SiC MOSFET
• 寄生电感
• 开关振荡

SiC器件具有高结温、高阻断电压、高热导、低损耗等特点,在电动汽车电机控制器方面具有巨大的应用前景。但由于SiC MOSFET的开关速度更快,在寄生参数的作用下,开关振荡比Si基器件严重很多。本文将研究寄生电感对SiC MOSFET开关振荡的影响,对基于SiC器件的变换电路PCB设计给予一定的指导,并给出了抑制SiC MOSFET开关振荡的建议。

• 单位
  株洲中车时代电气股份有限公司; 清华大学