基于高温扩散形成p型ScAlN层的高效发光二极管及制备方法

作者：许晟瑞; 吴浩洋; 卢灏; 范晓萌; 宁静; 张雅超; 陈大正; 段小玲; 张进成; 郝跃

来源：2020-08-27, 中国, ZL202010879621.7.

本发明公开了一种基于高温扩散形成p型ScAlN层的高效发光二极管及制备方法,该高效发光二极管包括：衬底层(1)；成核层(2),设置于所述衬底层(1)上；n型GaN层(3),设置于所述成核层(2)上；多量子阱层(4),设置于所述n型GaN层(3)上,所述多量子阱层(4)包括若干Al-(x)Ga-(1-x)N阱层和若干Al-(y)Ga-(1-y)N垒层,且所述若干Al-(x)Ga-(1-x)N阱层和所述若干Al-(y)Ga-(1-y)N垒层依次交替层叠设置于所述n型GaN层(3)上；电子阻挡层(5),设置于所述多量子阱层(4)上；P型Sc-(m)Al-(1-m)N层(6),设置于所述电子阻挡层(5)上；若干电极(7),所述若干电极(7)分别设置于所述P型Sc-(m)Al-(1-m)N层(6)上和所述n型GaN层(3)上。本发明的发光二极管由于P型层采用ScAlN材料,提高了p型层的空穴浓度,从而提高了器件的发光效率。

• 单位
  西安电子科技大学