键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器

作者：劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 曹萌; 刘成; 谢正生; 龚谦

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2008, (11): 2286-2291.

• 垂直腔面发射激光器
• 晶片直接键合
• 隧道结 vertical-cavity surface-emitting laser
• wafer-direct bonding
• tunnel junction

设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL).采用直接键合技术实现InP基有源层与GaAs基DBR的晶片融合,并经过侧向湿法腐蚀定义电流限制孔径和沉积介质薄膜DBR等关键器件工艺,研制出InAsP/InGaAsP量子阱垂直腔面发射激光器,其阈值电流为13.5mA,单模激射波长为1288.6nm.

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所