一种多孔ODS钨与铜的放电等离子扩散连接方法

作者：刘东光; 马浩然; 罗来马; 吴玉程; 阮崇飞; 朱晓勇; 昝详

来源：2020-07-30, 中国, ZL202010749156.5.

本发明公开了一种多孔ODS钨与铜的放电等离子扩散连接方法,首先采用阳极氧化在ODS钨的表面形成纳米孔洞；然后通过还原反应降低ODS钨纳米孔洞中的氧含量,提高表面活性；最后采用放电等离子烧结技术,实现ODS钨与铜在没有中间层下的扩散连接。本发明利用放电等离子烧结技术,在850℃-980℃下,在没有中间层的情况下,实现了ODS钨与铜的连接,钨与铜之间的互扩散距离可以达到600nm,接头处的硬度可以达到200HV。

• 单位
  合肥工业大学