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摘要
通过10～30 keV的正电子轰击纯厚Ti(Z=22)靶,采用超薄灵敏层的Si-PIN探测器收集其产生的X射线,通过HPGe探测器收集正电子在靶中湮没产生的511 keV的γ光子计数来计算正电子束流强度,对正电子碰撞厚Ti靶的K壳层特征X射线产额进行了初步测量,并将所得实验数据与基于DWBA(Distorted-Wave Born Approximation)理论的Monte Carlo程序PENELOPE模拟值进行了比较,在所考察的能区范围内两者形状较为一致,但实验值均明显低于理论模拟值,在低能端(≦15 keV)更为显著,从而为今后开展这方面的工作提供了参考。
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单位成都理工大学工程技术学院; 东华理工大学; 中国科学院高能物理研究所
