pH值对硅掺杂TiO_2薄膜光电化学性能的影响

作者：孙钰珺; 崔晓莉

来源：复旦学报(自然科学版), 2013, (01): 9-14.

DOI：10.15943/j.cnki.fdxb-jns.2013.01.002

• 二氧化钛
• 硅掺杂
• 直流反应磁控溅射
• pH值
• 光电化学性能 titanium dioxide
• silicon doping
• DC reactive magnetron sputtering
• pH value
• photoelectrochemical property

以Ti-Si镶嵌靶采用直流反应磁控溅射法制备了Si掺杂TiO2薄膜(Si-TiO2).通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、X-射线光电子能谱(XPS)及紫外-可见光吸收光谱对样品进行了表征,研究了薄膜样品在不同pH值的电解液中的光电化学性能.XPS结果表明,Si-TiO2中存在Ti-O-Si键,表明Si原子以掺杂形式进入TiO2晶格;与纯TiO2相比,Si-TiO2的表面颗粒尺寸有所增大,光学吸收带边发生红移.在pH值为1～13的电解液中,Si-TiO2薄膜相比纯TiO2薄膜的光电化学响应提高.碱性电解液尤其是pH值大于12时能够进一步提高Si-TiO2薄膜的光电化学性能,而酸性电解液则...

• 单位
  复旦大学