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摘要
本实用新型公开了一种具有外延层的复合衬底,其特征在于,包括转移硅衬底,转移硅衬底上的粘附层,粘附层上的阻挡层,阻挡层上的键合层,及键合层上的外延层；所述键合层所用金属为Au和Sn,键合层厚度≦3μm。粘附层可以改善外延层与衬底之间的粘附性能,使得外延层不易脱落,阻挡层可以很好地阻止键合层中的金属扩散,保护键合层的键合结构,键合层使用Sn和Au,Sn和Au形成AuSn共熔物保证了键合强度,并且Au可以阻止Sn的氧化,避免键合层中出现孔洞。本实用新型应用于光电子基成器件制备。
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本实用新型公开了一种具有外延层的复合衬底,其特征在于,包括转移硅衬底,转移硅衬底上的粘附层,粘附层上的阻挡层,阻挡层上的键合层,及键合层上的外延层；所述键合层所用金属为Au和Sn,键合层厚度≦3μm。粘附层可以改善外延层与衬底之间的粘附性能,使得外延层不易脱落,阻挡层可以很好地阻止键合层中的金属扩散,保护键合层的键合结构,键合层使用Sn和Au,Sn和Au形成AuSn共熔物保证了键合强度,并且Au可以阻止Sn的氧化,避免键合层中出现孔洞。本实用新型应用于光电子基成器件制备。
