大力发展第3代半导体产业 助力实现“双碳”目标

作者：本刊编辑部

来源：新材料产业, 2021, (05): 1.

DOI：10.19599/j.issn.1008-892x.2021.05.001

<正>以碳化硅、氮化镓等为代表的宽禁带半导体材料被称为"第3代半导体材料",因具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,更适合于制作高温、高频、大功率及抗辐射器件,可广泛应用在高压、高频、高温以及高可靠性等领域,包括射频通信、雷达、卫星、电源管理、汽车电子、工业电力电子等。