Pt/(Ba_(0．65)Sr_(0．35))TiO_3/Pt漏电流特性研究

作者：何小祥; 吴传贵; 张万里

来源：功能材料, 2008, (08): 1298-1301+1305.

• PTCR
• BST薄膜
• 陷阱填充限制电流
• 空间电荷限制电流 PTCR
• BST thin films
• TFLC
• SCLC

利用射频(RF)溅射在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上沉积(Ba_(0.65)Sr_(0.35))TiO_3(BST)薄膜,制成Pt/BST/Pt平板电容,研究在正反偏压下BST薄膜漏电流的J-V和J-T特性。反偏压时,上电极Pt和BST薄膜形成肖特基接触,漏电流遵循肖特基发射机制。正偏压时,BST薄膜和下电极Pt界面存在大量的界面态,使得漏电流遵循空间电荷限制电流(SCLC)机制,漏电流密度随偏压的增加而急剧增加,随测试温度的增加而减小产生了PTCR效应。利用深陷阱空间电荷限制电流模型,解释了BST薄膜的PTCR效应受ε_r(T)和V~((Tc/T)+1)的共同作用,其中ε_r(T)的作用...

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室