Sol-gel法制备Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3铁电薄膜

作者：郭冬云; 毛薇; 秦岩; 黄志雄; 王传彬; 沈强; 张联盟

来源：材料导报, 2010, (22): 16-19+28.

• Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜
• Sol-gel工艺
• 退火温度
• 保温时间
• 薄膜厚度
• 铁电性能 Pb(Zr0.53Ti0.47)O3 thin films
• sol-gel method
• annealing temperature
• holding time
• film thickness
• ferroelectric property

利用Sol-gel工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)薄膜,研究了退火温度、保温时间和薄膜厚度对其晶相、微观结构和铁电性能的影响。在500℃退火处理的PZT薄膜开始形成钙钛矿相;在550℃退火处理的PZT薄膜基本形成钙钛矿相结构;升高退火温度(500~850℃)、延长保温时间(30~150min)、增加薄膜厚度(120~630nm)都有利于PZT晶粒的长大。在650~750℃退火的PZT薄膜具有较好的铁电性能,保温时间对PZT薄膜的铁电性能影响不大,PZT薄膜的厚度为200~300nm时可以得到比较好的铁电性能。在退火温度750℃、保温时间...

• 单位
  武汉理工大学; 材料科学与工程学院; 材料复合新技术国家重点实验室