基于GaAs工艺的2～6GHz高效率收发多功能芯片设计

作者：王为; 袁野; 廖学介; 滑育楠

来源：集成电路应用, 2022, 39(06): 17-19.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2022.06.007

• 集成电路设计
• GaAs pHEMT
• 多功能芯片
• 低噪声
• 高效率
• MMIC

阐述一款基于GaAsp HEMT的2～6GHz收发多功能芯片的设计，该芯片集成了收发切换开关、接收低噪声放大器和发射功率放大器，具有高集成、低噪声、高增益、高输出功率和附加效率的特点。测试结果显示，在2～6GHz，接收通道增益25dB，噪声系数小于2.5dB，输出P1dB功率13.5dBm，电流小于50mA；发射通道增益大于28dB，饱和输出功率大于23.5dBm，功率附加效率24%～38%，电流小于230mA。芯片尺寸为：3.0mm×2.2mm。

• 单位
  成都嘉纳海威科技有限责任公司