铬过渡层位置及金属沉积角度对纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵结构的影响

作者：孔令琦; 张春婧; 黄胜利; 朱贤方

来源：Acta Physica Sinica, 2012, (03): 322-329.

• 纳米球刻蚀
• 铬过渡层
• 沉积角度
• 吸收光谱 nanosphere lithography
• Cr interlayer
• deposition direction
• absorption spectrum

利用纳米球刻蚀法制备了二维六角密排三角形银纳米阵列,通过加入铬过渡层并改变其位置和改变金属沉积角度,研究它们对点阵结构的影响.实验发现,加入铬过渡层所形成的银纳米点阵结构较无铬层有很大改善,三角形角部更加尖锐,更能满足传感器对信号检测的要求.同时,该过渡层应蒸镀在模板球排列之后,才能获取更大面积的二维银纳米点阵结构.在沉积角度对制备二维银纳米点阵的影响的实验中,基片没有旋转,采用垂直镀膜方式更容易得到结构完整、结合较牢固、且面积较大、角部尖锐的二维银纳米点阵.吸收光谱测量进一步验证了铬过渡层对二维银纳米点阵形貌结构的改善作用.这些为下一步的生物修饰以及生物化学传感器的制备提供了先决条件.

• 单位
  The University of Queensland; university of Queensland