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摘要
硅材料因理论比容量远高于石墨，受到广泛关注，但阻碍发展的关键是硅的体积膨胀。通过热缩聚和还原原位合成SiOx@类石墨相氮化碳(g-C3N4)复合材料，并研究储锂性能。XRD、SEM和X射线光电子谱(XPS)分析结果表明：SiOx均匀分散在g-C3N4片构成的空腔中，形成SiOx@g-C3N4复合材料。电化学性能测试结果表明：SiOx@g-C3N4复合材料以0.1 A/g的电流在0.01～3.00 V循环，首次充电比容量为1 410 mAh/g,库仑效率为76.4%;以1.0 A/g的电流循环700次，可逆比容量保持在488 mAh/g,库仑效率为99.7%。g-C3N4片层结构既缓解了硅材料的体积膨胀与粉化，又提高了导电性，因此SiOx@g-C3N4复合材料表现出良好的电化学性能。
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