摘要

利用LEED图形拟合的方法对大量不同取向In Si表面的稳定性和小面化进行了研究 ,新发现了In覆盖度在1 2单层原子以下的三个稳定表面 :Si(2 14 ) In ,Si(317) In和Si(4 36 ) In ,以及In覆盖度在 1单层原子左右的两个稳定表面Si(10 1) In和Si(313) In .此外还确定了In覆盖度在 1单层原子左右的 6个稳定In Si表面的家族领地以及In覆盖度在 1 2单层原子以下的 4个稳定In Si表面的家族领地 .特别值得注意的是Si(10 3) In的家族领地相当大 ,甚至比最稳定的Si(111) 7× 7表面的还大些

  • 单位
    北京大学; 人工微结构和介观物理国家重点实验室; 物理学院