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摘要
硅酸铁锂是一种锂离子电子的正极材料,由于其晶胞在理论上可允许可逆脱嵌两个锂原子,使得其理论比容量有巨大的提升空间,加上原料易得、无污染及成本低的优势,受到了人们的重视。正极材料掺杂被认为是改善其导电性能的有效途径。论文通过运用基于第一性原理方法的计算机仿真技术,对铬掺杂硅酸铁锂的结构和导电性能的影响进行了计算机仿真研究,结果表明未掺杂的硅酸铁锂其带隙快读为2.44eV,掺杂铬之后硅酸铁锂带隙减小为2.31eV,表明铬掺杂可提高硅酸铁锂的导电性能。
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单位四川轻化工大学
