纯钼表面包埋Si-B共渗涂层的显微组织及低温氧化行为

作者：田晓东; 郭喜平; 尹忠奇; 孙志平; 王利捷

来源：材料热处理学报, 2014, 35(08): 171-175.

DOI：10.13289/j.issn.1009-6264.2014.08.030

• MoSi2
• 涂层
• 包埋渗
• Si-B共渗
• 氧化

在纯钼表面进行包埋Si-B共渗,研究B改性MoSi2涂层的结构及其在600℃下的氧化行为。利用XRD,EDS,WDS分析涂层的相组成和结构,并结合热力学计算分析涂层的组织形成。结果表明:采用16Si-4B-4NaF-76Al2O3渗剂在11001400℃下可制备Si-B共渗涂层,涂层由外向内可分为五层:最外层MoSi2,次外层MoSi2+MoB,第三层Mo5Si3,第四层MoB和最内层Mo2B;涂层主体为MoSi2,渗入的B在与基体反应形成Mo-B化合物层的同时,还在MoSi2中形成MoB相;涂层的生长以Si,B原子向内扩散为主;在600℃氧化时涂层中的B向表面扩散并氧化生成B2O3。

• 单位
  长安大学; 西北工业大学; 材料学院; 凝固技术国家重点实验室