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摘要
本发明公开了一种FinFET纳米器件的自热效应温升计算方法,是用于表征纳米器件的自热效应,其步骤包括：1、设定不同温度对FinFET进行特性仿真,输出I-V特性曲线,并计算不同温度T下I-V特性曲线所对应的FinFET器件参数g-m；2、根据步骤1的结果建立温度T与输出跨导g-m相对于环境温度27℃下的跨导变化量△g-m、栅极电压V-(GS)的关系模型；3、根据关系模型中的温度T得到FinFET纳米器件的自热效应温升值。本发明采用FinFET纳米器件自身特性参数输出跨导g-m与温度T间关系进行自热效应的温升计算,能对FinFET器件的自热效应进行表征,从而解决先进工艺下纳米器件自热效应表征难问题。
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