SiC MOSFET欧姆接触的研究进展综述

作者：吴昊; 黄云辉; 李玲; 查祎英; 杨霏

来源：智能电网, 2017, 5(08): 773-776.

DOI：10.14171/j.2095-5944.sg.2017.08.007

• SiC
• MOSFET
• 欧姆接触

SiC MOSFET作为新一代SiC电力电子器件中重要的代表,具有开关电流小、频率高等优点,正受到产业界瞩目和重视。低的源漏接触电阻是衡量SiC MOSFET器件性能的重要参数之一,选择合适的金属及工艺条件是制备低接触电阻的难点。主要研究Ni、Al等常用金属分别或同时与n-SiC和p-SiC形成欧姆接触的最新进展。

• 单位
  全球能源互联网研究院