在不同衬底温度下用直流反应磁控溅射法制备p型ZnO薄膜(英文)

作者：简二梅; 叶志镇; 刘暐昌; 何海平; 顾修全; 朱丽萍; 赵炳辉

来源：发光学报, 2008, (03): 491-494.

• p型导电
• In-N共掺
• 直流反应磁控溅射法
• ZnO薄膜 p-type conduction
• In-N co-doped
• dc reactive magnetron sputtering
• ZnO film

采用直流反应磁控溅射方法,通过改变衬底温度并优化生长参数,在玻璃衬底上生长了In-N共掺p型ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明,所得薄膜结晶性能良好,且具有很好的c轴择优取向。Hall测试的结果所得p型ZnO薄膜最低电阻率为35.6Ω·cm,霍尔迁移率为0.111cm2·V-1·s-1,空穴浓度为1.57×1018cm-3。X光电子能谱(XPS)测试表明,铟元素已有效地掺入了ZnO薄膜中,且铟元素有效地促进了氮元素的掺入。紫外可见(UV)透射谱测试表明,在可见光范围内所有薄膜透光率均可达90%。

• 单位
  硅材料国家重点实验室