光刻胶树脂结构与性能技术进展

作者：陈寿天宝; 张念椿; 魏永明; 马晓华; 杨虎; 庄黎伟; 汤初阳; 李金荣; 郑鹤立; 许振良^*

来源：山东化工, 2022, 51(22): 117-124.

DOI：10.19319/j.cnki.issn.1008-021x.2022.22.043

• 光刻
• 光刻胶
• 紫外
• 深紫外
• 极紫外

光刻工艺随集成电路的发展成为核心环节，被誉为集成电路制造这顶皇冠上最耀眼的明珠。而光刻技术离不开其辅助材料光刻胶，每一代光刻技术得到的突破都将在相应光刻胶技术上得到体现，从436 nm光刻技术到248 nm KrF光刻技术、193 nm ArF光刻技术再到EUV光刻技术等，与之相应的光刻胶也不尽相同。

• 单位
  西陇科学股份有限公司