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摘要
InP HEMT具有优异的高频特性以及良好的散热、击穿和噪声性能，已成为太赫兹应用领域的重要器件之一。工程化应用要求器件具有厚的钝化保护层，厚钝化层又导致器件频率特性变差。针对这一问题，在自主的工艺线上制备了源漏间距2.5μm、栅长100 nm的T型栅InP基InAlAs/InGaAs HEMT。通过采用高In组分的InGaAs沟道层提升了该层的载流子迁移率和器件的直流跨导，最大直流跨导为1 700 mS/mm;通过制作空腔结构解决了厚钝化层带来的栅寄生电容大的问题，器件频率特性有很大提升，截止频率为300 GHz,最大振荡频率为700 GHz。微波测试结果表明，该器件在加厚钝化保护层后依然保持了良好的频率特性，可用于220 GHz放大器工程化应用领域。
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