基于AlN/GaN异质结的Ka波段GaN低噪声放大器研制

作者：张亦斌^*; 吴少兵; 李建平; 韩方彬; 李忠辉; 陈堂胜

来源：固体电子学研究与进展, 2021, 41(01): 14-23.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2021.01.004

• GaN高电子迁移率晶体管
• Ka波段
• 电子束直写
• 低噪声放大器

报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果。在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长70 nm的"T"型栅结构。器件最大电流密度为1.50 A/mm,最大跨导为650 mS/mm,通过S参数测试外推特征频率和最大频率分别为105 GHz和235 GHz。基于70 nm工艺制备的自偏压三级低噪声放大器,在33～40 GHz小信号增益大于27 dB,典型噪声系数为1.5 dB。