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摘要
本发明公开了一种基于钛酸钡与铁酸钴的双层自支撑磁电复合薄膜制备方法,主要解决现有1-3结构的复合材料不能同时减小衬底钳制效应和漏电的问题。其实现步骤是：先在蓝宝石衬底沉积一层氧化镁薄膜,并在氧化镁薄膜上依次沉积铁酸钴和钛酸钡薄膜,得到双层磁电复合薄膜；再在其表面旋涂上聚甲基丙烯酸甲酯,用硫酸铵溶液除去单晶氧化镁薄膜,使附有聚甲基丙烯酸甲酯的磁电复合薄膜与蓝宝石衬底脱离,并将脱离蓝宝石衬底的磁电复合薄膜转移到后续所需的衬底上,得到铁酸钴钛酸钡自支撑磁电复合薄膜。本发明得到的自支撑磁电复合薄膜相比现有的1-3结构的复合材料,其不仅可以减小衬底钳制,而且减小了漏电问题,可用于磁电传感器的制备。
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