环氧基片溅射钛副族氧化物薄膜的脉冲真空闪络特性

作者：陈玉; 成永红; 王增彬; 周稼斌; 阴玮; 吴锴

来源：无机材料学报, 2008, (05): 907-911.

• 环氧基片
• 钛副族
• 氧化物薄膜
• 纳秒脉冲
• 真空闪络 epoxy substrate
• Ti sub-group
• oxide thin films
• nanosecond pulse
• vacuum flashover

在绝缘材料表面制备半导电性及高导热系数的涂层可以明显提高材料的沿面闪络性能.采用高真空反应磁控溅射方法,在环氧基片表面溅射TiO_2、ZrO_2、HfO_2薄膜,使用快脉冲真空闪络实验装置(50ns/600ns,前沿和半高宽时间),在真空度5×10~(-3)Pa时,研究了上述三种氧化物薄膜的真空闪络特性.实验发现,TiO_2和ZrO_2薄膜以无定形态存在,表面颗粒未晶化,而HfO_2薄膜已经晶化.TiO_2薄膜的闪络电压最高,HfO_2薄膜较低.TiO_2和HfO_2随着溅射时间的增加,镀膜的真空闪络电压有所提高,而ZrO_2随着溅射时间的增加,镀膜的真空闪络电压有所下降.结合ANSOFT静电...

• 单位
  西安交通大学; 电力设备电气绝缘国家重点实验室