本发明公开了二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器及其制备方法,其是以n-型硅基底为光电探测器的基区,在其下表面设置n-型硅基底电极,在其上表面部分区域覆盖绝缘层；在绝缘层上覆盖二硒化钯接触电极,二硒化钯接触电极的边界不超过绝缘层的边界；在二硒化钯接触电极上铺设二硒化钯薄膜,二硒化钯薄膜一部分与二硒化钯接触电极形成欧姆接触,剩余部分与n-型硅基底表面未覆盖绝缘层的部分形成异质结。本发明的光电探测器工艺简单、成本低廉、电流开关比大、响应速度快。
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