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摘要
本发明涉及一种基于SiC/金刚石复合衬底层的半导体器件及其制备方法。所述半导体器件的制备方法包括：制备复合衬底层，其中，所述复合衬底层包括SiC衬底层和金刚石层；利用化学气相沉积法在所述SiC衬底层的Si面生长AlN成核层；利用化学气相沉积法在所述AlN成核层上生长GaN缓冲层；利用化学气相沉积法在所述GaN缓冲层上生长AlGaN势垒层。本发明将具有高质量的SiC衬底层与具有高热导率的金刚石层相结合，形成SiC/金刚石复合衬底层结构，利用金刚石层的高热导率的优点，提高了单纯在SiC衬底层上生长大功率氮化物半导体材料的散热能力。
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