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摘要
为了抑制高功率盒形窗内的次级电子倍增效应,研究了一种刻周期半圆弧槽窗片结构.通过对槽内电场进行分析,证明了半圆弧状槽可以有效避免尖锐边界的局部场增强效应.利用蒙特卡罗随机算法对槽内的次级电子倍增效应进行数值模拟,跟踪次级电子的轨迹及发展趋势,获得了不同槽宽所对应的抑制次级电子倍增最低电场强度.讨论了法向电场对半圆弧槽抑制次级电子倍增的影响.该结构有望在高功率速调管中获得应用.
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为了抑制高功率盒形窗内的次级电子倍增效应,研究了一种刻周期半圆弧槽窗片结构.通过对槽内电场进行分析,证明了半圆弧状槽可以有效避免尖锐边界的局部场增强效应.利用蒙特卡罗随机算法对槽内的次级电子倍增效应进行数值模拟,跟踪次级电子的轨迹及发展趋势,获得了不同槽宽所对应的抑制次级电子倍增最低电场强度.讨论了法向电场对半圆弧槽抑制次级电子倍增的影响.该结构有望在高功率速调管中获得应用.
