宽输入快速启动的高精度电压基准电路设计

作者：王辉; 王松林; 来新泉; 代国定; 郭宝龙

来源：西安电子科技大学学报, 2008, 35(2): 272-276.

DOI：10.3969/j.issn.1001-2400.2008.02.017

• bipolar CMOS DMOS(BCD)
• 电压基准
• 快速启动

采用BCD(bipolar CMOS DMOS)工艺,设计了一款不需调节且可快速启动的高精度电压基准电路.利用齐纳二极管的稳压特性,构成TTLBUFFER缓冲电路,使基准电路的输入电压变化范围在1V左右,从而提高电压基准精度.运用MOS器件的自偏特性,迅速给电压基准提供一个偏置,完成了整个电路的快速启动.该电路与基准电路结合后,当输入电压在6.3～14V的范围内时,其基准电压摆动小于2mV;启动时间为20μs左右.与同类电路相比,该电压基准输出摆动缩小了60%,启动时间缩短了40%.

• 单位
  电子工程学院; 机电工程学院; 西安电子科技大学