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摘要
本发明提供一种抗单粒子烧毁的氮化镓基准垂直沟槽MOSFET器件结构及其制造方法,属于半导体功率器件领域。该结构包括：衬底层、缓冲层、漏极重掺杂N+型氮化镓层、低掺杂N-型氮化镓漂移层、栅下P型氮化镓区、栅下金属、P型基区层、源极重掺杂N+型氮化镓层、P型基区接触金属、栅介质、钝化层、栅电极、源漏电极以及互联金属层。本发明以氮化镓基准垂直结构MOSFET器件为基础,在栅极沟槽底部添加P型氮化镓区域,制备欧姆接触电极将其与源电极连接,在为单粒子入射产生的空穴提供额外的泄露路径,从而降低寄生BJT开启的可能性,提升器件的抗辐射性能,从而使器件更好的适应宇航环境。
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