3D NAND存储芯片刻蚀设备选型和数量配置研究

作者：程星华; 曹东^*; 白帆; 宋恺

来源：真空科学与技术学报, 2022, 42(10): 781-785.

DOI：10.13922/j.cnki.cjvst.202205014

• 3D NAND
• 刻蚀工艺
• 设备选型
• 数量配置

随着5G、大数据等新一代信息技术的发展和应用，数据时代的到来对存储芯片的需求愈发旺盛。3D NAND技术以成本低、存储密度大的优势迅速成为存储芯片领域主流技术。国内项目在洁净室空间规划、一次性投资及运行成本方面与国际一流大厂还有较大差异。生产工艺对工厂设计影响重大，工艺设备的选型与配置直接影响洁净室面积需求、动力供应品质及用量要求等。本文通过对3D NAND存储芯片制造过程中刻蚀工艺及其设备选型和数量配置进行分析研究，针对不同工艺制程的特点，分析了刻蚀设备的选型要求；对于不同堆叠层数的变化，研究了刻蚀设备数量变化的内在逻辑。为3D NAND项目生产组线和工程设计前期规划提供有力支撑。

• 单位
  中国电子工程设计院