0.3～3.0GHz超宽带高精度数控移相器的设计

作者：李光超^*; 蒋乐; 豆兴昆; 于天新; 褚水清

来源：固体电子学研究与进展, 2023, 43(04): 324-328.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2023.04.005

• 砷化镓
• 超宽带
• 高移相精度
• 数控移相器
• 数字驱动器
• 磁耦合全通网络结构

基于0.15μm GaAs赝高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺，研制了一款应用于相控阵系统的集成数字驱动器的0.3～3.0 GHz高精度6 bit数控移相器芯片，通过级联6个不同移相单元可实现最小步进为5.625°的0°～360°移相范围。5.625°、11.25°、22.5°移相单元采用开关切换单阶磁耦合全通网络结构，45°移相单元采用开关切换电容补偿单阶磁耦合全通网络结构，90°、180°采用开关切换高通补偿两阶磁耦合全通网络结构。在片测试结果表明：在0.3～3.0 GHz频段内，数控移相器芯片64态移相均方根误差小于3°，插入损耗小于18 dB，全态移相附加调幅小于±1 dB，输入输出驻波小于1.9，静态功耗为3 mA@-5 V。芯片版图面积为5.00 mm×3.45 mm。