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摘要
用高压水平温度梯度定向结晶技术合成了磷化铟（InP）多晶。分析了不同温度梯度对多晶配比度的影响，结果表明当温度梯度低于4℃/cm时，多晶呈明显富铟状态，配比度在97%以下；当温度梯度在5℃/cm以上时多晶致密、无铟夹杂，达到近化学配比状态，配比度达到99%以上。对多晶样品进行了霍尔测试和辉光放电质谱（GDMS）测试，合成的高配比度磷化铟多晶载流子浓度在8×1015 cm-3以下，迁移率在3 900 cm2·V-1·s-1以上，纯度达到99.999 99%以上。多晶中的杂质主要有Si, S,Fe, Cu, Zn, As等，分析了杂质的来源及其对材料性能的影响。
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单位中国科学院; 中国科学院半导体研究所; 中国科学院大学
