摘要
基于拓扑结构设计技术,以C型电枢为例,依据发射过程中电枢受力及内部电流分布,用点阵结构拓扑优化电枢内部,设计并通过增材制造加工出半拓扑和全拓扑结构两种电枢,优化后的电枢较原电枢分别减质量37%和47%。通过发射试验,在峰值电流约550 kA时全拓扑结构电枢解体,半拓扑结构电枢在800 kA电流时仍可正常发射。结果表明:同样输入能量下,半拓扑优化电枢在发射电流为550、650、750、800 kA时,炮口速度分别提高了13.3%、11.3%、9.0%、5.0%,增材制造技术可为电枢轻量化设计提供新技术。
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单位中国兵器装备研究院