气压对PLD法在AlN/Si上外延生长的GaN性能的影响

作者：朱运农; 王文樑; 杨为家; 王海燕; 李国强

来源：材料研究与应用, 2016, 10(01): 16-21.

DOI：10.3969/j.issn.1673-9981.2016.01.004

• 气压
• 脉冲激光沉积
• GaN

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在AlN/Si异质结上外延生长GaN薄膜.研究了气压对GaN薄膜结构性能和表面形貌的影响,利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对GaN薄膜的结构性能及表面形貌等进行表征和分析.结果表明:气压在150mTorr范围时,GaN薄膜的表面形貌及结构性能均是先好后差;当气压在最佳值10mTorr时,外延生长的GaN薄膜质量最优,其(0002)和(1012)面的高分辨X射线衍射摇摆曲线峰值半高宽(FWHM)分别为0.7°和0.8°;原子力显微镜测试得到GaN薄膜表面的粗糙度为1.8nm.

• 单位
  华南理工大学