水基流延制备钛酸锶钡及介电挠曲电性能研究

作者:乔文豪; 刘军*; 柯俊鹏; 杨弘; 骆英
来源:电子元件与材料, 2022, 41(09): 941-948.
DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1778

摘要

以柠檬酸三胺为分散剂,聚乙烯醇(PVA)为粘结剂,聚乙二醇(PEG)为增塑剂,采用水基流延的方式制备钛酸锶钡(BST)流延膜。实验结果表明:当BST固含量为84.5%,柠檬酸三胺的质量分数为0.35%,PVA的质量分数为5%,PEG与PVA的质量比为0.6时,可制备出高质量的BST流延膜。叠加不同层数的BST流延膜加压后,在1235℃烧结可以得到不同厚度的BST薄片,其介电常数为3300,介质损耗为0.03。测试了所制备BST薄片的挠曲电性能,发现随着薄片厚度从400μm减小到200μm,横向挠曲电系数μ12从0.23μC/m增大到0.43μC/m,等效压电应变常数d33eff从396 pC/N增加到6306 p C/N,表现出明显的尺寸效应。可以预测,在BST薄片厚度达到微纳米尺度时,挠曲电材料要远优于常规的压电材料。

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