本发明公开了一种基于谐振门极驱动的SiCMOSFET并联的控制电路,包括:驱动电路、功率电路和驱动电源电路,其中,驱动电路是由隔离型驱动器、信号输入侧和信号输出侧组成;功率电路由SiCMOSFET并联电路组成;驱动电源电路由隔离型驱动电源电路和稳压电路组成。本发明能减少功率半导体器件在高频工作条件下的能量损耗,提高器件在并联工作时的漏极电流的均衡度,实现并联器件的均流,并拓展为多条并联支路,实现一个驱动器驱动多个器件的功能,提高电路效率。